IRGP20B120UD-EP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRGP20B120UD-EP		1 176.00

Версия для печати

Технические характеристики IRGP20B120UD-EP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	4.85V @ 15V, 40A
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
Power - Max	300W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AD)
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	132.30
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R		1	202.86
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	КИТАЙ
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INFINEON
RHRP15120		FSC
RHRP15120		FAIR
RHRP15120
RHRP15120		Fairchild Semiconductor
RHRP15120		FAIRCHILD	1
RHRP15120		FAIRCHILD
RHRP15120		ONS
RHRP15120		ONS-FAIR
RHRP15120		ON SEMICONDUCTOR
STRZ2154B				715.20
STRZ2154B		SK
STRZ2154B		SANKEN
STRZ2154B		СИНГАПУР
STRZ2154B		4-7 НЕДЕЛЬ	208
TLP250	Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	TOSHIBA
TLP250	Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	TOS
TLP250	Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ			151.08
TLP250	Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	TOSHIBA
TLP250	Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	КИТАЙ
TLP250	Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	FCS
РНЕ22 12В	реле промежуточное РНЕ22; РНЕ22 12В			8 828.00