RHRP8120

Диод выпрямительный сверхбыстродействующий
Напряжение обратное 1200В
Напряжение прямое 3.2В
Ток средний 8А
Время обратного восстановления 70нс

Версия для печати

Технические характеристики RHRP8120

Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 1200V
Current - Average Rectified (Io)	8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	3.2V @ 8A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	70ns
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	TO-220AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RHRP8120CC (Диодные матрицы)

8a, 1200v Hyperfast Dual Diode

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

RHRP8120 datasheet
52.91Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFC233620473	Пленочный конденсатор 0.047 мкФ 630 В	VISHAY
BFC233620473	Пленочный конденсатор 0.047 мкФ 630 В
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	144.45
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R		1	202.86
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	КИТАЙ
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INFINEON
IRG4BC30KD-SPBF		International Rectifier
IRG4BC30KD-SPBF		INFINEON
IRG4BC30KD-SPBF
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz			377.52
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	МЕКСИКА
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INFINEON
ТРАНСФОРМАТОР TMS92515CT
ТРАНСФОРМАТОР TMS92515CT		HHT