TLP250

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TLP250		151.08

Версия для печати

Технические характеристики TLP250

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Количество каналов	1, Unidirectional
Ток выходной / канал	1.5A
Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Push-Pull, Totem-Pole
Тип входа	DC
Current - DC Forward (If)	20mA
Propagation Delay High - Low @ If	150ns @ 8mA
Voltage - Isolation	2500Vrms

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TLP250

TRANSISTOR INVERTER INVERTERS FOR AIR CONDITIONER IGBT GATE DRIVE POWER MOS FET GATE DRIVE

Также в этом файле: TLP250INV

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

TLP250 datasheet
218.1Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FGA25N120ANTD	IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FAIR
FGA25N120ANTD	IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FSC
FGA25N120ANTD	IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А			480.00
FGA25N120ANTD	IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	КИТАЙ
FGA25N120ANTD	IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А	FSC1
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	132.30
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R		1	202.86
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	КИТАЙ
IRF2807	Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INFINEON
IRGP20B120UD-EP	IGBT 1200В 20А 5-40кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP20B120UD-EP	IGBT 1200В 20А 5-40кГц		1	703.08
IRGP20B120UD-EP	IGBT 1200В 20А 5-40кГц	INFINEON	36	1 207.56
RHRP30120		FSC
RHRP30120		FAIR
RHRP30120
RHRP30120		Fairchild Semiconductor
RHRP30120		FAIRCHILD
RHRP30120		ONS	2 000	276.61
RHRP30120		ONS-FAIR
К73-9-0.1МКФ 100В (10%)