IRG4PC40UD
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 160W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC3150 |
|
Биполярный транзистор | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SC3150 |
|
Биполярный транзистор | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC3150 |
|
Биполярный транзистор |
|
55.12 | ||
|
|
|
2SC3150 |
|
Биполярный транзистор | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
2SC3150 |
|
Биполярный транзистор | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC3150 |
|
Биполярный транзистор |
|
|
||
 |
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А | ONS |
|
|
||
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А | ON SEMIC |
|
|
||
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А | LITTELFUSE |
|
|
||
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А | LTL |
|
|
||
|
|
MAC8SNG |
|
Симистор 800 В 8 А |
|
|
|||
| SKM500GA124D | SMK |
|
|
|||||
| SKM500GA124D |
|
33 033.00 | ||||||
| ZY100 | FAGOR |
|
|
|||||
| ZY100 | FAGOR |
|
|
|||||
| ZY15 (2ВТ,15В) | DIOTEC |
|
|
