IRG4PC40UD
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 160W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC3997 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W) | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SC3997 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W) |
|
297.88 | ||
|
|
|
2SC3997 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W) | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC3997 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W) | США |
|
|
|
|
|
|
2SC3997 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 20A, 250W) | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
| HA13456A | FAIR |
|
|
|||||
| HA13456A | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| HA13456A | HITACHI |
|
|
|||||
| HA13456A | 1 | 444.00 | ||||||
| HA13456A | HIT |
|
|
|||||
| HA13456A | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| HA13456A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 768 |
|
|||||
|
|
UC3854BDW | UNITRODE |
|
|
||||
|
|
UC3854BDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
UC3854BDW |
|
464.00 | |||||
|
|
UC3854BDW | TEXAS |
|
|
||||
|
|
UC3854BDW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 557 |
|
||||
| ZY100 | FAGOR |
|
|
|||||
| ZY100 | FAGOR |
|
|
|||||
 |
КТ961 |
|
|
