| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
5 985
|
4.23
|
|
 |
 |
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
|
7
|
74.00
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
PHILIPS
|
232
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
22
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой
|
EVVO
|
542
|
16.76
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
41.38
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
|
4
|
41.58
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
931
|
28.52
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 650
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
257
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
3194
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
4316
|
|
|
|
|
|
|
ПРИПОЙ SN63PB37 ELR 1.0ММ 250ГР |
|
|
|
|
1 500.00
|
|
|
|
|
ПРИПОЙ SN63PB37 ELR 1.0ММ 250ГР |
|
|
FELDER
|
|
|
|
|
|
|
ПРИПОЙ SN63PB37 ELR 1.0ММ 250ГР |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
