Версия для печати
Технические характеристики FQP12N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 25V
Power - Max	225W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

FQP12N60C Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FQP12N60C datasheet 874.79Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5027R			FAIR
		2SC5027R
		IRFB31N20DPBF		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB31N20DPBF		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB31N20DPBF		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
		IRFB31N20DPBF		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON	157	242.12
		IRFP260N		Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	219.24
		IRFP260N		Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W		1	279.72
		IRFP260N		Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	МЕКСИКА
		IRFP260N		Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP260N		Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INFINEON
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)	NSC
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)		1	1 965.60
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	32
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)	1
		LM6172IM		Сдвоенный скоростной ОУ (Ib65dB, F1=100MHz, SR=3000V/us, -40 to +85C)	4-7 НЕДЕЛЬ	758
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...		424	22.08
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	НПП ТЭЗ
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	ТОМИЛИНО
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	СЗТП	488	18.90
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСК
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"