Версия для печати

Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт f<3МГц, Кус.=30-275 КТ815Г datasheet 180,2kB 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		924	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	3 420	22.94
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 082	10.53
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ON SEMICONDUCTOR
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ON SEMICONDUCTOR	35
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	Intersil
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	Fairchild Semiconductor
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	STMicroelectronics
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	Microsemi Commercial Components Group
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ST MICROELECTRONICS
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).			83.60
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ST MICROELECTRONICS SEMI	19
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	FAIRCHILD
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	MULTICOMP
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц		3 432	27.75
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	КРЕМНИЙ	80	24.57
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	БРЯНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	УЛЬЯНОВСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	МИНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	RUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А		802	22.68
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	КРЕМНИЙ	4 479	17.21
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	БРЯНСК
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	МИНСК	4 800	17.85
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	RUS
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ИНТЕГРАЛ
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ТРАНЗИСТОР
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ДАЛЕКС	768	24.80
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		1 044	29.44
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	7 494	33.90
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	13 212	37.80
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP		776	30.18
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	6 338	33.90
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	10 281	37.80
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		2 096	28.52
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	3 168	28.82
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	14 756	33.60
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,		871	82.80
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	КРЕМНИЙ	1 188	89.66
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	БРЯНСК	2 660	94.50
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	МИНСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	RUS
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"