| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
VISHAY
|
1 520
|
22.73
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
|
|
42.56
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
|
293D476X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 16 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
 |
 |
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
|
|
12.00
|
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
41
|
13.43
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
39 616
|
2.33
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.37
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
1 920
|
8.27
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ7V5T1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ7V5T1G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMSZ7V5T1G |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
