STW12NK80Z
N-MOS 800V, 10.5A, 190W
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STW12NK80Z (MOSFET) N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BU2525DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности | CHINA |
|
|
|||
| BU2525DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности | NXP |
|
|
|||
| BU2525DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности |
|
54.56 | ||||
| BU2525DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| BU2525DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
 |
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 5 680 | 6.97 | ||
| BYV27-200-TR | VISHAY |
|
|
|||||
| BYV27-200-TR |
|
|
||||||
| DAP018A |
|
|
||||||
| DAP018A | ONS |
|
|
|||||
| MPSA13[KSP13] | FAIR |
|
|
|||||
| MPSA13[KSP13] |
|
|
