STW12NK80Z
N-MOS 800V, 10.5A, 190W
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STW12NK80Z (MOSFET) N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22UF/50V 6.37.7 85° |
|
|
||||||
| FMMT560TA | ZTX |
|
|
|||||
| FMMT560TA | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| FMMT560TA | DI |
|
|
|||||
| FMMT560TA | 3 950 | 31.45 | ||||||
| FMMT560TA | DIODES |
|
|
|||||
| FSD211H | FAIR |
|
|
|||||
 |
HCPL3120-000E PBF |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А |
|
|
|||
| NCP1216D100R2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1216D100R2G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| NCP1216D100R2G |
|
|
||||||
| NCP1216D100R2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1216D100R2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NCP1216D100R2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 272 |
|
