STW12NK80Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW12NK80Z (ST MICROELECTRONICS)	31	343.98

Версия для печати

Технические характеристики STW12NK80Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2620pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW12NK80Z (MOSFET)

N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW12NK80Z datasheet
355.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS316/T1		NXP
BAS316/T1		NEXPERIA
BYG20J-E3/TR3	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY	5 580	11.91
BYG20J-E3/TR3	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
BYG20J-E3/TR3	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR3	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс		5 920	7.27
HCPL3120-000E PBF	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
MPSA13[KSP13]		FAIR
MPSA13[KSP13]
P4404EDG		NIKO
P4404EDG				144.48
P4404EDG				144.48
P4404EDG		NIKO-SEM