LMC6482AIMX

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LMC6482AIMX (NATIONAL SEMICONDUCTOR.)	69	3-4 недели Цена по запросу
LMC6482AIMX (4-7 НЕДЕЛЬ)	344	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LMC6482AIMX

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Тип выхода	Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного напряжения	1.3 V/µs
Полоса пропускания	1.5MHz
Ток - входного смещения	0.02pA
Напряжение входного смещения	110µV
Ток выходной	1.3mA
Ток выходной / канал	30mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 15.5 V, ±1.5 V ~ 7.75 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADG711BRZ		ANALOG DEVICES
ADG711BRZ		ANALOG
ADG711BRZ				440.00
ADG711BRZ		Analog Devices Inc
ADG711BRZ		ANALOG DEVICES	23
ADG711BRZ		4-7 НЕДЕЛЬ	613
ADG711BRZ SOIC-16-3.9
DSPIC33FJ128MC804-I/PT		MICRO CHIP
DSPIC33FJ128MC804-I/PT		Microchip Technology
DSPIC33FJ128MC804-I/PT
DSPIC33FJ128MC804-I/PT		4-7 НЕДЕЛЬ	137
IRF530NPBF	Полевой транзистор	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF530NPBF	Полевой транзистор		1 160	32.34
IRF530NPBF	Полевой транзистор	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF530NPBF	Полевой транзистор	INFINEON	5 426	40.00
IRFD120PBF	МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	VISHAY	1 240	39.13
IRFD120PBF	МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFD120PBF	МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	Vishay/Siliconix
IRFD120PBF	МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	VISHAY/IR
IRFD120PBF	МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	SILICONIX
IRFD120PBF	МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт