LF347D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
LF347D (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	28	3-4 недели Цена по запросу
LF347D (TEXAS INSTRUMENTS)	67	25.66
LF347D (4-7 НЕДЕЛЬ)	124	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LF347D

Корпус	14-SOIC
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной	8mA
Напряжение входного смещения	5000µV
Ток - входного смещения	50pA
Полоса пропускания	3MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	13 V/µs
Число каналов	4
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Ток выходной / канал	40mA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LF347

JFET-INPUT QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS

Также в этом файле: LF347D, LF347DR

Производитель:
Texas Instruments
//www.ti.com

LF347D datasheet
51.44Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3224W-1-104E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	BOURNS	4 013	75.07
3224W-1-104E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	Bourns Inc
3224W-1-104E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
74ALS273DWRA26 (SN74ALS273DWRA26)		TEXAS INSTRUMENTS
74ALS273DWRA26 (SN74ALS273DWRA26)
ADG711BRZ SOIC-16-3.9
S20K250	195Дж, 250В, 10000А	JOYIN
S20K250	195Дж, 250В, 10000А	EPCOS
S20K250	195Дж, 250В, 10000А		50	33.30
S20K250	195Дж, 250В, 10000А	EPCOS	114
S20K250	195Дж, 250В, 10000А	EPCOS Inc
S20K250	195Дж, 250В, 10000А	TDK (EPCOS)
S20K250	195Дж, 250В, 10000А	TDK-EPC
К71-7 250В 0.01815 МКФ 0.5%			72	84.00