![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 680mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
Power - Max | 350mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
FDV303N (MOSFET) Digital FET , N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74HC00D SO14 | NXP |
![]() |
![]() |
|||||
74HC00D SO14 |
![]() |
![]() |
||||||
LMH6639MF | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LMH6639MF |
![]() |
275.00 | ||||||
LMH6639MF | NSC |
![]() |
![]() |
|||||
LMH6639MF | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LMH6639MF | 4-7 НЕДЕЛЬ | 714 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
STB30NF20 |
![]() |
N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STB30NF20 |
![]() |
N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STB30NF20 |
![]() |
N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
STB30NF20 |
![]() |
N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet |
![]() |
![]() |
||
![]() |
К50-29-16-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 16 В |
![]() |
426.04 | |||
![]() |
К50-29-16-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 16 В | ВКЗ |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
К50-68-25-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В |
![]() |
28.28 |
|
Корзина
|