FDV303N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FDV303N (FAIRCHILD.)	1 365	3-4 недели Цена по запросу
FDV303N	2 800	1.56
FDV303N (MSKSEMI)	10 536	1.94

Версия для печати

Технические характеристики FDV303N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	680mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 10V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDV303N (MOSFET)

Digital FET , N-Channel

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDV303N datasheet
65.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74HC00D SO14		NXP
74HC00D SO14
LMH6639MF		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMH6639MF				275.00
LMH6639MF		NSC
LMH6639MF		TEXAS INSTRUMENTS
LMH6639MF		4-7 НЕДЕЛЬ	714
STB30NF20	N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STB30NF20	N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet	STMicroelectronics
STB30NF20	N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet
STB30NF20	N-channel 200v - 0.065? - 30a - d2pak low gate charge stripfet™ power mosfet
К50-29-16-1000	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 16 В			426.04
К50-29-16-1000	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 16 В	ВКЗ
К50-68-25-1000	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 25 В			28.28