IS41LV16100B-50KLI
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
Оперативная память DRAM, паралельная |
Версия для печати
| Корпус | 42-SOJ |
| Корпус (размер) | 42-SOJ |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 3 V ~ 3.6 V |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Скорость | 50ns |
| Объем памяти | 16M (1M x 16) |
| Тип памяти | DRAM - EDO |
| Формат памяти | RAM |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 |
|
533.76 | ||||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 641 |
|
|||||
 |
 |
ADP3339AKCZ-1.8-RL |
|
Analog Devices Inc |
|
|
||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS | 16 524 | 3.12 | |||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
 |
|
TEN 5-1221 |
|
DC/DC, 6Вт, вход 9-18V выход +5V/+500 mA изоляция 1500VDC,корпус DIP24 32х20х10мм., - ... | TRACO | 78 | 2 348.57 | |
|
|
|
TEN 5-1221 |
|
DC/DC, 6Вт, вход 9-18V выход +5V/+500 mA изоляция 1500VDC,корпус DIP24 32х20х10мм., - ... |
|
|
||
| TPS72116DBVT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS72116DBVT |
|
114.80 | ||||||
| TPS72116DBVT | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS72116DBVT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 424 |
|
