Версия для печати
Технические характеристики MMUN2211LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	246mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные, со встроенными резисторами

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		24LC256-I/SM		Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	MICRO CHIP
		24LC256-I/SM		Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz			126.28
		24LC256-I/SM		Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	MICRO CHIP	60
		24LC256-I/SM		Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	Microchip Technology
		24LC256-I/SM		Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	ТАИЛАНД
		24LC256-I/SM		Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	757
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	MICRO CHIP	232	113.65
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8			220.00
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	MICRO CHIP	25
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	Microchip Technology
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		24LC512-I/P		Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	4-7 НЕДЕЛЬ	638
		ADP3335ARM-3.3-RL7			ANALOG DEVICES
		ADP3335ARM-3.3-RL7					533.76
		ADP3335ARM-3.3-RL7			4-7 НЕДЕЛЬ	641
		DS1302ZN+T			MAX
		DS1302ZN+T
		DS1302ZN+T			4-7 НЕДЕЛЬ	504
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FAIR
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FSC
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FAIRCHILD	12 983	31.50
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FAIRCHILD	61
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	США
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...		4 543	46.25
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	ONS	80	32.67
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	ONS-FAIR
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	YOUTAI	3 502	14.69
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	UMW	9 600	17.56
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	1
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	4-7 НЕДЕЛЬ	100

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"