| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 246mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
290
|
189.00
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
|
392
|
135.37
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
52
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
429
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
|
|
1 536.00
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
INTEGRATED SILICON SOLUTION
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
589
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
12 983
|
31.50
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
61
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
США
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
|
4 543
|
46.25
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
ONS
|
80
|
32.67
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
YOUTAI
|
3 502
|
14.68
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
UMW
|
9 600
|
17.56
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
1
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
100
|
|
|
|
|
|
S1D13506F00A2 |
|
|
EPSON
|
|
|
|
|
|
|
S1D13506F00A2 |
|
|
EPSON
|
|
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
|
640
|
11.67
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TSAL6100 |
|
Светодиод инфракрасный 5мм ( I=20mA, 25 град., 940nm, d=5mm).
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|