Версия для печати
Технические характеристики MMUN2211LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	246mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные, со встроенными резисторами

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MAX1694EUB					308.80
		MAX1694EUB			Maxim Integrated Products
		MAX1694EUB			4-7 НЕДЕЛЬ	504
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	LITE ON OPTOELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ST MICROELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	UTC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC	14 303	2.29
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DC COMPONENTS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NXP
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	MCC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	STMicroelectronics
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ONS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES INC.	16
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIRCHILD	48
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц		43 240	1.42  >100 шт.   0.71
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	PANJIT
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	KLS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	HOTTECH	83	1.76  >100 шт.   0.88
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	SEMTECH
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	YJ	49 536	1.89
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JSCJ	21 192	1.61
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ASEMI	8 523	1.26  >100 шт.   0.63
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	KEEN SIDE	6 826	1.70  >100 шт.   0.85
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FAIR
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FSC
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FAIRCHILD	12 947	31.80
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	FAIRCHILD	61
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	США
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...		4 543	46.25
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	ONS	80	33.76
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	ONS-FAIR
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	YOUTAI	3 016	19.35
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	UMW	9 600	15.50
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	1
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	4-7 НЕДЕЛЬ	100
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	10590
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	5039
		MOC3062M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...	600
		NRP-12-A-12D-H			NCR
		TCRT1000		Датчик оптоэлектронный	VISHAY
		TCRT1000		Датчик оптоэлектронный		4	146.15
		TCRT1000		Датчик оптоэлектронный	Vishay/Semiconductors
		TCRT1000		Датчик оптоэлектронный	ФИЛИППИНЫ
		TCRT1000		Датчик оптоэлектронный	4-7 НЕДЕЛЬ	65

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"