| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
8 208
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
992 357
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
|
|
4.48
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BC860B |
|
Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
3 840
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
11 765
|
5.59
|
|
|
|
|
RC0805FR-074K7L |
|
|
YAGEO
|
474 344
|
1.00
>1000 шт. 0.20
|
|
|
|
|
RC0805FR-074K7L |
|
|
YAGEO
|
12 903
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-074K7L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TZC3R100A110, 3-10ПФ, SMD КОНДЕНСАТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ |
|
|
MURATA
|
|
|
|
Версия для печати
