TZC3R100A110, 3-10ПФ, SMD КОНДЕНСАТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 152-K103 USBB-1J | NXU |
|
|
|||||
 |
IRF250 |
|
Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF250 |
|
Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 |
|
2 520.00 | |||
|
|
IRF250 |
|
Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | INFINEON |
|
|
||
 |
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 3 840 |
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 7 018 | 8.03 | |
| LQH32CN101K23L-100 МКГН-10% | 19 971 | 16.65 | ||||||
| TJ6-8P8C | 256 | 70.30 | ||||||
| TJ6-8P8C | 256 | 70.30 | ||||||
| TJ6-8P8C | BM |
|
|
|||||
| TJ6-8P8C | KLS |
|
|
|||||
| TJ6-8P8C | КИТАЙ | 71 | 22.51 |
