МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А	13 600	3-4 недели Цена по запросу
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А	13 600	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM338T/NOPB		NSC
LM338T/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM338T/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM338T/NOPB		TEXAS
LM338T/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM338T/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS
LM338T/NOPB
Д9В	Диод выпрямительный малой мощности 30В, 0.02А		2 584	3.72
Д9В	Диод выпрямительный малой мощности 30В, 0.02А	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ	940	3.58
Д9В	Диод выпрямительный малой мощности 30В, 0.02А	1219
Д9В	Диод выпрямительный малой мощности 30В, 0.02А	94
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	49	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		238	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	184	96.09
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200