МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КТ316БМ |
|
48.00 | |||||
|
|
КТ316БМ | СВЕТЛАНА | 800 | 21.08 | ||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 44 | 46.85 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 222 | 75.60 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | 30 | 96.09 | |
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
||||||
| П422 | 2 | 30.24 | ||||||
| П422 | 2 | 30.24 | ||||||
| П422 | НАЛЬЧИК |
|
|
|||||
| П422 | 1 |
|
|
