| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
SK035M0010B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В
|
YAGEO
|
4 905
|
4.80
|
|
|
|
|
SK035M0010B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK035M0010B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
 |
|
КТ363Б |
|
|
|
6
|
88.00
|
|
|
|
|
КТ363Б |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ363Б |
|
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
232
|
35.56
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
792
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
626
|
24.00
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
9
|
34.44
|
|
|
|
|
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А |
|
|
|
14 000
|
3.40
|
|
|
|
|
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А |
|
|
|
14 000
|
3.40
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
12 000
|
5.10
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
12 000
|
5.10
|
|
Версия для печати
