| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
SN74AC74DR |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC74DR |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
|
1 000
|
15.08
|
|
|
|
|
SN74AC74DR |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC74DR |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC74DR |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP SO 14, -40 ... +85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
КИТАЙ
|
1
|
9.00
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
1 784
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
10 662
|
31.80
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4
|
169.60
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
231.25
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
3 094
|
36.04
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
392
|
340.96
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
1 085.31
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
18
|
340.20
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
8
|
527.04
|
|
Версия для печати
