МР20-2 СБ-12А ЧГ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МР20-2 СБ-12А ЧГ	11 600	3-4 недели Цена по запросу
МР20-2 СБ-12А ЧГ	11 600	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	NXP
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	PHILIPS	800	22.64
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	ON SEMICONDUCTOR
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	MOTOROLA
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA			18.56
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	PHILIPS
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	WEEN
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	NXP/NEXPERIA
MAC97A6	TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA	1
К77-1-3300ПФ-400В 10%		ПОЛИКОНД
К77-1-3300ПФ-400В 10%
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		406	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200