МР20-2 СБ-12А ЧГ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МР20-2 СБ-12А ЧГ	11 600	3-4 недели Цена по запросу
МР20-2 СБ-12А ЧГ	11 600	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM338T/NOPB		NSC
LM338T/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM338T/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM338T/NOPB		TEXAS
LM338T/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM338T/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS	1	178.60
LM338T/NOPB
К157УД1	Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ...		309	41.58
К157УД1	Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ...	ПОЛЯРОН	860	31.50
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	35.91
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		510	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200