МР20-2 СБ-12А ЧР

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МР20-2 СБ-12А ЧР	5 200	3-4 недели Цена по запросу
МР20-2 СБ-12А ЧР	5 200	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM338T/NOPB		NSC
LM338T/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM338T/NOPB		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM338T/NOPB		TEXAS
LM338T/NOPB		TEXAS INSTRUMEN
LM338T/NOPB		TEXAS INSTRUMENTS
LM338T/NOPB
К174ХА2	Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.			51.84
К174ХА2	Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.	ДИСК
К174ХА2	Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.	ГРАВИТОН
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	49	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		238	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	184	96.09
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600