BS107ARL1G

Версия для печати

Технические характеристики BS107ARL1G

Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	250mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	60pF @ 25V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz			76.04
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	TOSHIBA
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	TOS
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	NO TRADEMARK
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	ISCSEMI
2SD1667F
2SJ162+2SK1058 ПАРА	Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ	RENESAS
2SJ162+2SK1058 ПАРА	Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ			953.24
2SK216	Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА	HITACHI
2SK216	Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА	TOSHIBA
2SK216	Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА
2SK216	Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА	HIT
LM317LBD		ON SEMICONDUCTOR
LM317LBD		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317LBD		UTC
LM317LBD				48.00
LM317LBD		ONS
LM317LBD		ON SEMICONDUCTOR
LM317LBD		ФИЛИППИНЫ
LM317LBD		4-7 НЕДЕЛЬ	76