КОРПУС ДЛЯ РЭА G1005025B+L
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLD 2X07 (BLD-14) | 480 | 7.04 | ||||||
| G1005025B | GAINTA | 8 134 | 35.36 | |||||
| G1005025B |
|
|
||||||
| ICE3BS02 | INFINEON |
|
|
|||||
| ICE3BS02 |
|
|
||||||
| ICE3BS02 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | США |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | 1 |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 658 |
|
|||||
| L-7104SURC | KB |
|
|
|||||
| L-7104SURC | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L-7104SURC |
|
|
||||||
 |
 |
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ... |
|
166.40 | ||
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ... |
|
166.40 | ||
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ... | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ... | INFINEON TECH |
|
|
