|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 858
|
33.54
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
|
1 904
|
30.71
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MC34063ABD-TR |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
295
|
|
|
|
|
R2S15902FP |
|
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
R2S15902FP |
|
|
|
|
|
|
|
|
R2S15902FP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
411
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
SGC
|
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
|
|
316.00
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
120
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
КОРПУС ДЛЯ РЭА G1005025B+L |
|
|
GAINTA
|
|
|
|
|
|
КОРПУС ДЛЯ РЭА G1005025B+L |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
КОРПУС ДЛЯ РЭА G1005025B+L |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|