|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
|
|
281.20
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
|
|
12.00
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/50V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
SGC
|
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
|
|
316.00
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
120
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
|
|
166.40
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPA04N60C3 |
|
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG/REEL |
|
|
WINBOND
|
4
|
46.78
|
|