ICE3BS02


Купить ICE3BS02 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ICE3BS02
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
ICE3BS02 (4-7 НЕДЕЛЬ) 504 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики ICE3BS02

КорпусP-DIP-8
Корпус (размер)8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)900mW
Напряжение выходное500V
Напряжение входное8.5 V ~ 22 V
Частотный диапозон61 ~ 73kHz
Изоляция выходаIsolated
СерияCoolSET®F3
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    2SB817C PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)   SANYO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    2SB817C PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)     Заказ радиодеталей 281.20 
    2SB817C PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
ECAP 100/50V 0811 105C Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С   JAMICON Заказ радиодеталей цена радиодетали
ECAP 100/50V 0811 105C Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С     Заказ радиодеталей 12.00 
ECAP 100/50V 0811 105C Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С   JAM Заказ радиодеталей цена радиодетали
ECAP 100/50V 0811 105C Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С   JB Заказ радиодеталей цена радиодетали
SG6841S ШИМ-контроллер для импульсного источника питания   SGC Заказ радиодеталей цена радиодетали
SG6841S ШИМ-контроллер для импульсного источника питания     Заказ радиодеталей 316.00 
SG6841S ШИМ-контроллер для импульсного источника питания   4-7 НЕДЕЛЬ 120 цена радиодетали
SPA04N60C3 MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
SPA04N60C3 MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...     Заказ радиодеталей 166.40 
SPA04N60C3 MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...     Заказ радиодеталей 166.40 
SPA04N60C3 MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
SPA04N60C3 MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
SPA04N60C3 MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
    W25Q32FVSSIG/REEL     WINBOND 4 46.78 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход