Версия для печати
Технические характеристики ICE3BS02

Корпус	P-DIP-8
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	900mW
Напряжение выходное	500V
Напряжение входное	8.5 V ~ 22 V
Частотный диапозон	61 ~ 73kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	CoolSET®F3
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		P4NK60ZFP			ST MICROELECTRONICS
		P4NK60ZFP					212.00
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	SGC
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц		5	272.16
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	644
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания	SGC
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания			316.00
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания	4-7 НЕДЕЛЬ	120
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
		ZENER 20V 1/2W
		ZENER 20V 1/2W

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"