LM809M3-3.08


Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))

Купить LM809M3-3.08 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
LM809M3-3.08
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
LM809M3-3.08 (NATIONAL SEMICONDUCTOR.) 192 3-4 недели
Цена по запросу
LM809M3-3.08 (4-7 НЕДЕЛЬ) 206 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LM809M3-3.08

КорпусSOT-23-3
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-40°C ~ 105°C
Пороговое напряжение3.08V
Сброс ожидания140 ms Minimum
СбросActive Low
ВыходPush-Pull, Totem Pole
Число проверяемых напряжений1
ТипSimple Reset/Power-On Reset
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LM809 (Мониторинг системы)

3-Pin Microprocessor Reset Circuits

Также в этом файле: LM809M3-3.08

Производитель:
National Semiconductor
//www.national.com

LM809M3-3.08 datasheet
183.55Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS 1 1.32 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     3 614 2.00 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY, LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR 11 847 цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FUXIN 63 320 1.32 
>100 шт.   0.66 
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   INTERNATIONAL RECTIFIER 2 324 цена радиодетали
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   INFINEON 7 051 8.27 
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)     8 976 8.16 
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   INFINEON 532 цена радиодетали
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   TR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML2502TRPBF N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)   TRR 58 4.13 
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   INTERNATIONAL RECTIFIER 48 цена радиодетали
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   INFINEON 14 372 11.37 
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А     328 12.88 
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   TR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6402TRPBF P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А   TRR 328 4.13 
PIC16F887-I/PT 8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz   MICRO CHIP 212 247.97 
PIC16F887-I/PT 8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz     256 244.55 
PIC16F887-I/PT 8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F887-I/PT 8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F887-I/PT 8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz   MCHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F887-I/PT 8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz   4-7 НЕДЕЛЬ 696 цена радиодетали
    SMAJ5.0CA-E3/61     VISHAY 1 229 10.60 
    SMAJ5.0CA-E3/61     GENERAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SMAJ5.0CA-E3/61     GENERAL SEMICONDUCTOR 576 цена радиодетали
    SMAJ5.0CA-E3/61     Vishay/General Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SMAJ5.0CA-E3/61     TVS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SMAJ5.0CA-E3/61       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SMAJ5.0CA-E3/61     1537 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход