LM810M3-2.63

Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LM810M3-2.63		39.48
LM810M3-2.63 (4-7 НЕДЕЛЬ)	170	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LM810M3-2.63

Производитель	National Semiconductor Corporation
Character Size	1
Charge Current	2.63 В
Charge Time	2.63 В
Корпус (размер)	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD
Рабочая температура	-40...105 °C
	IC MICRO RESET CIRC SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LM810 (Мониторинг системы)

3-Pin Microprocessor Reset Circuits

Также в этом файле: LM810M3-2.63

Производитель:
National Semiconductor
//www.national.com

LM810M3-2.63 datasheet
183.55Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1816	Биполярный транзистор	SANYO
2SD1816	Биполярный транзистор			31.32
2SD1816	Биполярный транзистор	КИТАЙ
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	238.14
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		368	88.20
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	217.80
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
IRLR024N	Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	58.59
IRLR024N	Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)		240	44.40
IRLR024N	Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	INTERNATIONAL RECTIFIER	2
IRLR024N	Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	МЕКСИКА
IRLR024N	Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	INFINEON
ST13007	Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ST MICROELECTRONICS
ST13007	Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт			38.00
ST13007	Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	STMicroelectronics
ST13007	Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ФИЛИППИНЫ
ST13007	Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ST1
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный		519	11.34
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	КРЕМНИЙ	400
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	АЛЕКСАНДРОВ	660	6.30
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	БРЯНСК	68	6.30
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	НАЛЬЧИК
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	МИНСК	720	8.40
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	RUS
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ИНТЕГРАЛ	400	12.47
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ТРАНЗИСТОР
КТ502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ДАЛЕКС	536	12.40

LM810M3-2.63

Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

С этим товаром покупают: