BUP314

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BUP314		641.12

Версия для печати

Технические характеристики BUP314

Lead Free Status / RoHS Status	Request inventory verification / Request inventory verification
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)	42A
Power - Max	300W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-218-5 Formed Leads
Корпус	P-TO218-5

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BUP314D (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

IGBT With Antiparallel Diode (low Forward Voltage Drop High Switching Speed Low Tail Current Latch-up Free Including Fast Free-wheel Diode)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BUP314 datasheet
107.77Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT25640AN-10SU-2.7		ATMEL
AT25640AN-10SU-2.7				79.52
AT25640AN-10SU-2.7		ATMEL CORPORATION	25
AT25640AN-10SU-2.7		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
AT25640AN-10SU-2.7		MICRO CHIP
AT25640AN-10SU-2.7		4-7 НЕДЕЛЬ	612
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NSC
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))			39.48
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	КИТАЙ
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	4-7 НЕДЕЛЬ	170
UDA1330ATS		PHILIPS
UDA1330ATS		PHILIPS
К50-35-25-1000	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В			58.40
К50-35-25В-1000МКФ			1 152