IRFP3077
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 50V |
| Power - Max | 340W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 27C256-12/SO | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| 27C256-12/SO |
|
1 052.00 | ||||||
| 27C256-12/SO | 4-7 НЕДЕЛЬ | 472 |
|
|||||
 |
2SD1816 |
|
Биполярный транзистор | SANYO |
|
|
||
|
|
2SD1816 |
|
Биполярный транзистор |
|
31.32 | |||
|
|
2SD1816 |
|
Биполярный транзистор | КИТАЙ |
|
|
||
| AT89C51SND1C-ROTIL |
|
MC 8Bit 64K-Flash UART VQFP44 | ATMEL |
|
|
|||
 |
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W |
|
641.12 | ||
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
|
IRFP2907 |
|
Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP2907 |
|
Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W |
|
484.00 | ||
|
|
|
IRFP2907 |
|
Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRFP2907 |
|
Транзистор полевой N-MOS 75V, 177A, 330W | INFINEON |
|
|
