74HC02AN
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6027RL1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N6027RL1G | ONS |
|
|
|||||
| 2N6027RL1G |
|
|
||||||
 |
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJITSU |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W |
|
168.00 | |||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJ |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJI |
|
|
||
| 74LS27N |
|
|
||||||
| 74LS27N | SIGNETICS | 26 | 41.38 | |||||
| 74LS27N |
|
|
||||||
| 74LS27N | 4-7 НЕДЕЛЬ | 341 |
|
|||||
 |
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 40 | 787.82 | |
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... |
|
491.08 | ||
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
| ПАНЕЛЬКАSCS-8 |
|
|
