Версия для печати
Технические характеристики 2SK2915

Корпус	TO-3P(N)
Корпус (размер)	2-16C1B (TO-247 N)
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3520pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 8A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

2SK2915 (Полевые МОП транзисторы) N Channel Mos Type (high Speed, High Current Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converterand and Motor Drive Applications) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SK2915 datasheet 304.58Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJITSU
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W			168.00
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJ
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJI
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	47	653.40
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
		IRG4PC40UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST MICROELECTRONICS	8	173.88
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR			159.60
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	STMicroelectronics
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST1
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	ST MICROELECTRO
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	STMICROELECTR
		L6561D		Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR	4-7 НЕДЕЛЬ	550
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	FAI/QTC
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)		23 800	24.04
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	ONS
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	КИТАЙ
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	GALAXY
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	MCC
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	YJ	93 068	27.25
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	---
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	GALAXY ME
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	HOTTECH	3 252	25.92
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	LGE	960	23.76
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	PANJIT	1 089	43.92
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	YANGJIE (YJ)
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	KLS	3 440	34.93
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	DIOTEC	1 600	75.41
		MBR20200CT		Диод Шоттки 200V 20A(2x10)	SUNTAN
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц			2.44
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA	2 041
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR	1 733
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	OTHER	92
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	Infineon Technologies
		MMBT3904LT1		Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS-FAIR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"