IRF7469

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7469		56.20

Версия для печати

Технические характеристики IRF7469

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 20V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7469 (Дискретные сигналы)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7469 datasheet
115.39Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MF-2 91 5%
MF-2-5.1 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-2-5.1 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		1 314	8.00
SQP-5W-100 5%	Резистор постоянный керамический прямоугольный	TAIWAN
SQP-5W-100 5%	Резистор постоянный керамический прямоугольный			12.68
МР1-19-1-В
МР1-19-5-В			74	1 332.00
МР1-19-5-В		ЭЛЕКОН