| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
10.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
238 545
|
2.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 218
|
2.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 404 163
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
85 559
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
2.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 499 166
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
466 794
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
122 963
|
1.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
263 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
266
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
166 340
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
38
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
246 364
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2
|
4.94
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
3 389
|
3.51
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
155 505
|
1.71
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
11 412
|
1.03
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.70
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
49 949
|
2.08
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
7 273
|
1.83
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
64 800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
415 300
|
1.02
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
4
|
1.44
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
2785
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
765
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
2 400
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
|
29 609
|
3.48
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
HOTTECH
|
22 022
|
4.74
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
TRR
|
8 800
|
3.33
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
JSCJ
|
20 251
|
4.07
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
XSEMI
|
42 691
|
3.84
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KEEN SIDE
|
2 720
|
3.01
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
4700
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
|
|
260.00
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
DIOTEC
|
56
|
2.19
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIRCHILD
|
2 683
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
|
45 600
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YJ
|
141 586
|
1.05
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
HOTTECH
|
65 280
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
KLS
|
16
|
1.37
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YOUTAI
|
12 225
|
1.40
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
JSCJ
|
22 105
|
1.85
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
HXY
|
124
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
JSMICRO
|
46 258
|
1.11
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
XXW
|
7 200
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
KEEN SIDE
|
5 912
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
15850
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
RUME
|
66 320
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
ASEMI
|
44 640
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|