|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
13 805
|
2.26
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
|
23 868
|
1.07
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
8 048
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
8
|
1.83
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
1 351
|
2.10
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
96 816
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
YJ
|
465 694
|
1.43
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
56 608
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
MF-2-5.1 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-2-5.1 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
1 314
|
8.00
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.65
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
6 561
|
4.65
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
132
|
1.68
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONS
|
11 923
|
4.57
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 108
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
|
320
|
1.10
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
МР1-19-5-В |
|
|
|
8
|
8 531.46
|
|