IRF7404
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7404 Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
CM453232-100KL |
|
ЧИП индуктивность 10мкГн, корп 1812 | BOURNS | 27 261 | 15.03 | |
|
|
|
CM453232-100KL |
|
ЧИП индуктивность 10мкГн, корп 1812 |
|
49.16 | ||
| MF-2 91 5% |
|
|
||||||
|
|
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 | 1.68 | ||||
|
|
MMBT5551LT1G | ONS | 11 923 | 4.57 | ||||
|
|
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 5 108 |
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | 320 | 1.10 | |||||
|
|
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBT5551LT1G | SEMTECH |
|
|
||||
| SQP-5W-100 5% |
|
Резистор постоянный керамический прямоугольный | TAIWAN |
|
|
|||
| SQP-5W-100 5% |
|
Резистор постоянный керамический прямоугольный |
|
12.68 | ||||
 |
|
РС7ТВ ВИЛКА Б/К |
|
924 | 2 332.50 |
