Версия для печати
Технические характеристики BCP56-16

Корпус	SOT-223
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	1.6W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BCP56 Npn Silicon Planar Medium Power Transistor Также в этом файле: BCP56-16 Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com BCP56-16 datasheet 46.55Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	7 200	3.18
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS	41 406	3.78
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	2 398	3.65
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	355 940	1.89
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	118 602	2.02
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		64 391	1.34  >100 шт.   0.67
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	4.91
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	943 664	1.66  >100 шт.   0.83
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.88
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	353 476	1.17
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	342	1.33
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	6 466	1.55
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.66  >100 шт.   0.83
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 608 604	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	253 029	1.09
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	120 000	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	628 470	1.58  >100 шт.   0.79
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	20 544	1.24  >100 шт.   0.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.68
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)		39 600	1.24  >100 шт.   0.62
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIR
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	3 308	2.03
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DI
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP	36 964
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	ONS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIODES
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	HOTTECH	114 270	1.31
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	KLS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	SUNTAN	852	1.86  >100 шт.   0.93
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YJ	476 831	1.20
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	XSEMI	40 800	1.48  >100 шт.   0.74
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	200	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	12 274	2.01
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	9 457	3.34
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		117 456	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	1 743 013	1.08  >100 шт.   0.54
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	70 400	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.09
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 305 258	1.08
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 551	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	112 491	1.36  >100 шт.   0.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	522 230	1.21
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.94  >100 шт.   0.97
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	442 680	1.28  >100 шт.   0.64
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250		31 926	3.41
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	NXP
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	PHILIPS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	NXP
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	PHILIPS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	ONS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	МАЛАЙЗИЯ
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	КИТАЙ
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	INFINEON TECH
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	ST MICROELECTRONICS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	INFINEON
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	NEXPERIA
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	ST1
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	STMICROELECTRONICS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	HOTTECH	129 544	5.45
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	LGE
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	OLITECH
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	KLS
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	SUNTAN
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	TRR	29 600	3.82
		BCP53-16		Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250	JSCJ	38 449	5.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"