| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
|
|
2 880.00
|
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
WATKINS JOHNSON
|
|
|
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
WATKINS-JOHNSON COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
|
|
2 880.00
|
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
70
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
328
|
4.50
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
|
364
|
119.60
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
|
364
|
119.60
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
695
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
96
|
25.76
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
26.55
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 152
|
34.01
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 280
|
14.32
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
3940
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
4249
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
585
|
22.08
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
32.79
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
32.22
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 489
|
14.32
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
257
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
3194
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
4316
|
|
|
|