|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AH1-1G |
|
|
|
|
2 880.00
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
WATKINS JOHNSON
|
|
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
WATKINS-JOHNSON COMPANY
|
|
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
|
|
2 880.00
|
|
|
|
AH1-1G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
70
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
4 173
|
4.07
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
|
372
|
145.36
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
|
372
|
145.36
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
INA-03184-TR1 |
|
Малосигнальный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
695
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
1 141
|
32.02
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
911
|
24.57
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 192
|
39.90
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 399
|
16.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 667
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
28.35
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 936
|
16.80
|
|