| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 646
|
88.20
|
|
|
|
|
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
21
|
|
|
|
|
|
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
|
1 387
|
52.77
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
2 147
|
37.80
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
696
|
123.98
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
|
204
|
175.64
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
МИКРО-М
|
254
|
58.80
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
ММ
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
СВЕТЛАНА
|
336
|
58.80
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
|
1 243
|
15.12
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4 527
|
6.30
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
СЗТП
|
40
|
26.46
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
185.00
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
3 267
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
120
|
227.30
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
Версия для печати
