Версия для печати
Технические характеристики КС515Г1

Мощность рассеяния,Вт	0.5
Минимальное напряжение стабилизации,В	14
Номинальное напряжение стабилизации,В	15
Максимальное напряжение стабилизации,В	16
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.005
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	31
Рабочая температура,С	-60...100
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd25
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		4	12.95
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	92	16.96
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.91
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	39 254	5.99
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности		919	5.55
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности	PHILIPS	800	5.47
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности	NXP
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности	СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности	КОРЕЯ, НАРОДНО-
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		BF450		Транзистор биполярный малой мощности	---
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		2 066	41.38
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	1 200	123.98
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
		КР1534ПП1					144.00
		КР1534ПП1			САРАТОВ
		КР1534ПП1			РЕФЛЕКТОР
		КТ602БМ				96	21.08
		КТ602БМ			БРЯНСК	2 093	33.92
		КТ602БМ			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ602БМ			ВОРОНЕЖ
		КТ602БМ			КРЕМНИЙ	266	24.99
		КТ602БМ			КРЕМНИЙ ЭЛ	378	6.93
		КТ602БМ			1900
		КТ602БМ			717

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"