| Мощность рассеяния,Вт | 0.5 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 14 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 15 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 16 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.005 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 31 |
| Рабочая температура,С | -60...100 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd25 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BC560CG |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC560CG |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
|
|
13.20
|
|
|
|
|
BC560CG |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC560CG |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
|
25
|
133.40
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
78
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
США
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
444
|
|
|
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
132.30
|
|
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт
|
|
964
|
37.18
|
|
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
КВ139А |
|
|
|
152
|
18.50
|
|
|
|
|
КВ139А |
|
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 024
|
31.28
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
804
|
28.35
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
737
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
3 284
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
