| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
|
|
29.68
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
|
3 605
|
28.89
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
184
|
144.65
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
381
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
|
3 690
|
30.24
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
|
4 585
|
15.81
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
КРЕМНИЙ
|
1 311
|
17.59
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
ДАЛЕКС
|
880
|
25.83
|
|
|
|
КТ502Е |
|
Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А
|
7369
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
6 764
|
14.88
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
26.55
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
3940
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
4249
|
|
|
|