Версия для печати
Технические характеристики КС515Г1

Мощность рассеяния,Вт	0.5
Минимальное напряжение стабилизации,В	14
Номинальное напряжение стабилизации,В	15
Максимальное напряжение стабилизации,В	16
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.005
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	31
Рабочая температура,С	-60...100
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd25
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		4	13.02
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	476	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	4.27
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	8 306	10.53
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	1 398	3.67
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	5 600	3.77
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		1 792	41.38
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	1 200	123.98
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
		КР1534ПП1					144.00
		КР1534ПП1			САРАТОВ
		КР1534ПП1			РЕФЛЕКТОР
		КС515Г ПЛ
		КС515Г ПЛ			САРАНСК
		КТ602БМ				80	21.08
		КТ602БМ			БРЯНСК	1 732	29.76
		КТ602БМ			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ602БМ			ВОРОНЕЖ
		КТ602БМ			КРЕМНИЙ	80	32.01
		КТ602БМ			КРЕМНИЙ ЭЛ	378	4.43
		КТ602БМ			1900
		КТ602БМ			717
		КТ602БМ			473

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"