Версия для печати
Технические характеристики MC74HC244AN

Корпус	20-DIP
Корпус (размер)	20-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Ток выходной макс., мин.	7.8mA, 7.8mA
Число битов на элемент	4
Число элементов	2
Логический тип	Buffer/Line Driver, Non-Inverting
Серия	74HC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Буферы сигналов, драйверы, ретрансляторы, сплитеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	18 948	1.03
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIR
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	ЦВТР
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	PHILIPS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	VISHAY
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	БРЕСТ
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIRCHILD
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	GALAXY
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIRCHILD
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	КИТАЙ
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA		24 105	1.27
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	KINGTRONICS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	SEMTECH	12 336	1.06
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	GALAXY ME
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	PANJIT	2 668	1.16
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	DC COMPONENTS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	HOTTECH
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	KLS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	1
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	SUNTAN	2 252	1.30
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	3336
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	MOTOROLA
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD			2.56
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	INFINEON
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	INFINEON	53
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	MOTOROLA	2 598
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	OTHER	308
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	Infineon Technologies
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	NATIONAL SEMICONDUCTOR	412
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		585	28.52
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	480	32.79
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 555	38.16
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	3 601	16.96
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	257
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	3194
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	4316
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"