|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
37 972
|
1.50
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
|
26 505
|
1.44
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
12 536
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
PANJIT
|
2 676
|
1.74
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
4 944
|
2.32
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
15 237
|
1.82
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
SUNTAN
|
4 362
|
1.46
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 466
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
26.46
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 555
|
37.80
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 024
|
16.80
|
|
|
|
РЭС 15 РС4.591.003 |
|
|
|
686
|
67.20
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|