Версия для печати
Технические характеристики MC74HC244AN

Корпус	20-DIP
Корпус (размер)	20-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Ток выходной макс., мин.	7.8mA, 7.8mA
Число битов на элемент	4
Число элементов	2
Логический тип	Buffer/Line Driver, Non-Inverting
Серия	74HC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Буферы сигналов, драйверы, ретрансляторы, сплитеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
		BC547		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	20 276	1.09
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIR
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	ЦВТР
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	PHILIPS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	VISHAY
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	БРЕСТ
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIRCHILD
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	GALAXY
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIRCHILD
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	КИТАЙ
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA		24 105	1.46
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	KINGTRONICS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	SEMTECH	12 336	1.06
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	GALAXY ME
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	PANJIT	2 668	1.16
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	DC COMPONENTS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	HOTTECH
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	KLS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	1
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	SUNTAN	2 649	1.36
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	3336
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		585	28.52
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	480	32.79
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 555	38.16
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	3 601	16.96
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	257
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	3194
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	4316
		РЭС 15 РС4.591.003				686	67.20
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 БЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"